CAS 1303-11-3: Arseniuro di indio

Arseniuro di indio (InAs) è un semiconduttore composto con caratteristiche notevoli che lo rendono significativo in varie applicazioni tecnologiche, in particolare nell'elettronica e nell'optoelettronica. È un composto binario composto da indio e arsenico, che presenta una struttura cristallina a blenda di zinco. Arseniuro di indio è noto per la sua alta mobilità elettronica, che consente dispositivi elettronici veloci, e ha un gap di energia stretto, rendendolo efficace per applicazioni di rilevamento e imaging infrarosso. Il materiale è anche sensibile alla radiazione infrarossa, rendendolo utile in fotodetettori e laser infrarossi. Inoltre, InAs ha un'alta stabilità termica e può essere sintetizzato attraverso vari metodi, tra cui epitassia a fascio molecolare e deposizione di vapore chimico. Tuttavia, è importante notare che Arseniuro di indio è tossico a causa della presenza di arsenico, richiedendo una manipolazione e uno smaltimento accurati. Le sue proprietà uniche hanno portato al suo utilizzo in transistor ad alta velocità, sensori infrarossi e come substrato per altri materiali semiconduttori.